Une revue récente résume les progrès réalisés dans les photodétecteurs hybrides graphène-semi-conducteur au cours de la dernière décennie. Il commence par présenter les indicateurs clés de performance des photodétecteurs, fournissant la base d’une évaluation précise des performances. La revue élucide ensuite le mécanisme de conversion photoélectrique des photodétecteurs hybrides graphène-semi-conducteur.
Ensuite, il approfondit les principes de fonctionnement de ces détecteurs dans diverses configurations, offrant un aperçu des appareils typiques. Enfin, la revue décrit les orientations futures du développement des photodétecteurs hybrides graphène-semi-conducteur.
Les photodétecteurs hybrides graphène-semi-conducteur offrent plusieurs avantages :
Le papier est publié dans la revue Appareils et instrumentation avancés.
L’intégration du graphène et des semi-conducteurs dans la construction de nouveaux photodétecteurs a fait des progrès significatifs dans la détection à large bande, atteignant une bande passante de travail de niveau GHz, une réactivité ultra-élevée et une production de gain de bande passante. Cependant, le développement de dispositifs alliant hautes performances, multifonctionnalité et fabrication au niveau tranche reste un défi.
Relever ces défis nécessite le développement de nouvelles méthodes et processus pour optimiser les performances et étendre les fonctionnalités des détecteurs hybrides graphène-semi-conducteur, ce qui devrait favoriser les progrès de la technologie de photodétection.
Plus d’information:
Jintao Fu et al, Photodétecteurs basés sur des structures hybrides graphène-semi-conducteur : progrès récents et perspectives d’avenir, Appareils et instrumentation avancés (2023). DOI : 10.34133/adi.0031
Fourni par Advanced Devices & Instrumentation