Étiquette : IIIV
Des chercheurs développent une nouvelle technique d’intégration pour un couplage efficace du III-V et du silicium
Des chercheurs de l’Université des sciences et technologies de Hong Kong (HKUST) ont développé une nouvelle technique d’intégration pour une intégration efficace des dispositifs semi-conducteurs composés III-V et du silicium,…
Des chercheurs développent un nouveau schéma d’intégration pour un couplage efficace entre III-V et le silicium
Des chercheurs de l’Université des sciences et technologies de Hong Kong (HKUST) ont récemment mis au point un nouveau schéma d’intégration pour un couplage efficace entre les dispositifs semi-conducteurs composés…