Étiquette : AlN
Ingénierie de contrainte pilotée par le graphène pour permettre une épitaxie sans contrainte du film AlN pour la diode électroluminescente ultraviolette profonde
La bande interdite directe des matériaux à base d’AlN les rend adaptés à la fabrication de dispositifs optoélectroniques DUV, qui ont un large éventail de perspectives d’application dans les domaines…