Forscher am Princeton Plasma Physics Laboratory (PPPL) des US-Energieministeriums haben ein neues theoretisches Modell entwickelt, das eine Möglichkeit zur Herstellung von schwarzem Silizium erklärt, einem wichtigen Material für Solarzellen, Lichtsensoren, antibakterielle Oberflächen und viele andere Anwendungen.
Schwarzes Silizium entsteht, wenn die Oberfläche von normalem Silizium geätzt wird, um winzige nanoskalige Vertiefungen auf der Oberfläche zu erzeugen. Diese Vertiefungen verändern die Farbe des Siliziums von Grau zu Schwarz und fangen vor allem mehr Licht ein, ein wesentliches Merkmal effizienter Solarzellen.
Während es viele Möglichkeiten gibt, schwarzes Silizium herzustellen, darunter auch einige, die den geladenen vierten Aggregatzustand namens Plasma nutzen, konzentriert sich das neue Modell auf einen Prozess, der ausschließlich Fluorgas verwendet. Der PPPL-Postdoktorand Yuri Barsukov sagte, die Entscheidung, sich auf Fluor zu konzentrieren, sei Absicht gewesen: Das Team am PPPL wollte eine Lücke in der öffentlich zugänglichen Forschung schließen. Während einige Artikel über die Rolle geladener Teilchen, sogenannter Ionen, bei der Herstellung von schwarzem Silizium veröffentlicht wurden, wurde nicht viel über die Rolle neutraler Substanzen wie Fluorgas veröffentlicht.
„Wir kennen jetzt – mit großer Genauigkeit – die Mechanismen, die dazu führen, dass sich diese Löcher bilden, wenn Fluorgas verwendet wird“, sagte Barsukov, einer der Autoren von a neues Papier über das Werk, erschienen in der Journal of Vacuum Science & Technology A.
„Diese Art von Informationen, die öffentlich veröffentlicht und offen zugänglich sind, kommen uns allen zugute, unabhängig davon, ob wir tiefer in das Grundwissen eintauchen, das solchen Prozessen zugrunde liegt, oder ob wir versuchen, Herstellungsprozesse zu verbessern“, fügte Barsukov hinzu.
Das Modell zeigt, dass Bindungen aufgrund der Atomorientierung an der Oberfläche aufbrechen
Das neue Ätzmodell erklärt genau, wie Fluorgas bestimmte Bindungen im Silizium häufiger aufbricht als andere, abhängig von der Orientierung der Bindung an der Oberfläche. Da es sich bei Silizium um ein kristallines Material handelt, sind Atome in einem starren Muster miteinander verbunden. Diese Bindungen können anhand der Art und Weise ihrer Ausrichtung im Muster charakterisiert werden, wobei jede Art der Ausrichtung oder Ebene durch eine Zahl in Klammern gekennzeichnet wird, z. B [100], [110] oder [111].
„Wenn man Silizium mit Fluorgas ätzt, schreitet die Ätzung voran [100] Und [110] Kristallebenen, ätzt aber nicht [111]„Das führt zu einer rauen Oberfläche nach dem Ätzen“, erklärt Barsukov. Da das Gas das Silizium ungleichmäßig wegätzt, entstehen Löcher auf der Oberfläche des Siliziums. Je rauer die Oberfläche, desto mehr Licht kann sie absorbieren, wodurch raues schwarzes Silizium entsteht Ideal für Solarzellen. Glattes Silizium hingegen ist eine ideale Oberfläche für die Erzeugung atomarer Muster, die für Computerchips erforderlich sind.
„Wenn Sie Silizium ätzen und dabei eine glatte Oberfläche hinterlassen möchten, sollten Sie einen anderen Reaktanten als Fluor verwenden. Es sollte ein Reaktant sein, der alle Kristallebenen gleichmäßig ätzt“, sagte Barsukov.
PPPL erweitert seine Expertise in der Quantenchemie
Die Forschung ist auch deshalb bemerkenswert, weil sie einen frühen Erfolg in einem der neuesten Forschungsbereiche von PPPL darstellt.
„Das Labor diversifiziert sich“, sagte Igor Kaganovich, leitender Forschungsphysiker und Co-Autor des Papiers. „Dies ist eine Premiere für PPPL, diese Art von quantenchemischer Arbeit durchzuführen.“
Die Quantenchemie ist ein Zweig der Wissenschaft, der die Struktur und Reaktivität von Molekülen mithilfe der Quantenmechanik untersucht, den Gesetzen der Physik, die sehr kleine und sehr leichte Objekte wie Elektronen und Kerne regeln.
Zu den weiteren Forschern, die zu der Arbeit beigetragen haben, gehören Joseph Vella, assoziierter Forschungsphysiker; Sierra Jubin, Doktorandin an der Princeton University; und ehemaliger wissenschaftlicher Mitarbeiter am PPPL Omesh Dhar Dwivedi.
Mehr Informationen:
Omesh Dhar Dwivedi et al, Orientierungsabhängiges Ätzen von Silizium durch Fluormoleküle: Eine quantenchemische Computerstudie, Journal of Vacuum Science & Technology A (2023). DOI: 10.1116/6.0002841