Schlagwort: OxidDünnschichttransistoren
Verwendung von Palladium zur Behebung von Kontaktproblemen bei vergrabenen Oxid-Dünnschichttransistoren
Wissenschaftler der Tokyo Tech haben eine neuartige Methode entwickelt, bei der Palladium verwendet wird, um Wasserstoff in die tief vergrabenen Oxid-Metall-Elektrodenkontakte von Speichergeräten mit amorphen Oxidhalbleitern (AOS) zu injizieren, wodurch…