Schlagwort: 2DpnÜbergängen
Niedrigenergetische Ionenimplantation ermöglicht die Konstruktion von lateralen 2D-pn-Übergängen
Die Strukturgröße von Transistoren auf Siliziumbasis nähert sich der theoretischen Grenze, was höhere Anforderungen an die Herstellung von Halbleitern auf atomarer Ebene stellt. Die Grundidee der Herstellung auf atomarer Ebene…