Samsung Halbleiter, eine Einheit von Samsung-ElektronikDas hat sie angekündigt Einheitlicher Flash-Speicher (UFS) 4.0, ein Upgrade gegenüber dem derzeit verwendeten UFS 3.0 oder UFS 3.1 Speichertechnologie. Samsungs UFS 4.0 Der Speicher basiert auf der Gen 7 V-NAND-Speichertechnologie des Unternehmens.
Der UFS 4.0-Speicher von Samsung enthält einen proprietären Controller mit sequentiellen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 4.200 MB/s bzw. bis zu 2.800 MB/s. Laienhaft ausgedrückt hat UFS 4.0 die doppelte Geschwindigkeit von UFS 3.1, was bedeutet, dass Ihr nächstes Smartphone viel schneller und reibungsloser arbeiten wird. Als Referenz hat der UFS 3.1 eine sequentielle Lesegeschwindigkeit von 2.100 MB/s und eine sequentielle Lesegeschwindigkeit von 1.200 MB/s. Außerdem liefert der UFS 4.0 laut Samsung eine Geschwindigkeit von bis zu 2,23 GB/s pro Spur.
Darüber hinaus verbessert Samsungs neu entwickelte Speichertechnologie auch den Stromverbrauch. Der UFS 4.0 bietet eine um 46 % verbesserte Energieeffizienz. Samsung behauptet, dass UFS 4.0 eine sequentielle Lesegeschwindigkeit von 6,0 MBps pro Milliampere liefern wird. Daher können Benutzer auf Geräten mit UFS 4.0-Speicher eine bessere Leistung und eine längere Akkulaufzeit erwarten.
Die UFS 4.0-Speichertechnologie wird voraussichtlich auf dem kommenden Samsung Galaxy Z Fold 4 und Galaxy Z Flip 4 debütieren. Darüber hinaus könnte das Smartphone der Galaxy S-Serie im nächsten Jahr auch mit dem UFS 4.0-Speicher ausgestattet sein. Neben Smartphones wird UFS 4.0 künftig auch in AR/VR-Geräten sowie in der Automobilindustrie zum Einsatz kommen.
Samsung kündigt UFS 4.0-Speicher an, verspricht verbesserte Leistung und Energieeffizienz
