Die ebenfalls diskutierten Perspektiven für den Chipmarkt und Technologietrends hieß es in der Stellungnahme, ohne weiter darauf einzugehen. Die EUV-Maschinen von ASML sind der Schlüssel zur fortschrittlichen Chipherstellung und kosten jeweils bis zu 160 Millionen US-Dollar, und die begrenzte produzierte Anzahl hat einen Engpass für Chiphersteller wie Samsung geschaffen. TSMC und Intel die planen, in den kommenden Jahren mehr als 100 Milliarden US-Dollar für den Bau von Halbleiterfabriken auszugeben. Samsung wird in diesem Jahr schätzungsweise 18 EUV-Geräte von ASML sichern, gegenüber geschätzten 15 im letzten Jahr und 8 im Jahr 2020, Lee Jae-yun, Analyst bei Yuanta-Wertpapieresagte in früheren Kommentaren. Samsung, das den EUV-Prozess sowohl in der Chip-Auftragsfertigung als auch in der Herstellung von DRAM-Speicherchips einsetzt, lehnte einen Kommentar zu bestimmten zukünftigen EUV-Einführungsplänen ab. Es war das erste, das EUV in der DRAM-Fertigung verwendete. Samsung sagte in einer Gewinnaufforderung im Januar, dass es „das Angebot an Hochleistungsprodukten erweitern und die Anwendung seiner branchenführenden EUV-Technologie“ für Speicherchips verstärken werde. Es sagte auch, dass sich seine Investitionen in die Chip-Auftragsfertigung auf Kapazitätserweiterungen für fortschrittliche 5-Nanometer-EUV-Prozesse in seinem Werk in Pyeongtaek, Südkorea, konzentrierten. Lee besuchte auch den Mikroelektronik-Thinktank IMEC, sagte Samsung.
Lee von Samsung bespricht mit Wennink von ASML die reibungslose Versorgung mit „wesentlichen“ Chip-Geräten
Samsung-Elektronik Stellvertretender Vorsitzender Jay Y. Lee Treffen mit dem CEO von ASML Holding NV Peter Wennink um die Zusammenarbeit bei der Einführung von High-End-Chipgeräten zu erörtern, Samsung sagte. In einer Erklärung des Unternehmens heißt es, Lee und Führungskräfte des niederländischen multinationalen Unternehmens hätten weitreichende Gespräche über die reibungslose Versorgung mit extrem ultraviolettem (EUV) Lithographieausrüstung, „wesentlich für die Implementierung winziger Prozesse für die Halbleiterproduktion der nächsten Generation“.