Hochleistungs-Terahertz-Modulatoren, die durch ein Substratfeld in Te-basierten All-2D-Heteroübergängen induziert werden

Leistungsstarke aktive Terahertz (THz)-Modulatoren sind für die Kommunikationstechnologie der nächsten Generation von großer Bedeutung. Allerdings leiden sie derzeit unter dem Kompromiss zwischen Modulationstiefe und Geschwindigkeit.

Zweidimensionale (2D) Materialien mit einzigartigen physikalischen Eigenschaften wie starken Licht-Materie-Wechselwirkungen, einem atomar dünnen Profil und einer schnellen Ladungsträgerrekombination könnten eine interessante Plattform für die Untersuchung optoelektronischer Geräte in der Grundlagenphysik bieten. Daher ist es dringend erforderlich, günstige 2D-Materialien zu finden, die die Geräteleistung steigern.

Das aufkommende monoelementare 2D-Tellur (Te) ist eine faszinierende neue Option. Dieses Material mit einer einzigartigen helikalen Kettenstruktur verfügt über vielversprechende Eigenschaften wie eine schichtabhängige Bandlücke, eine außergewöhnlich hohe Trägermobilität, eine starke optische Reaktion und eine gute Luftstabilität.

In einem neuen Papier veröffentlicht In Licht: Wissenschaft & Anwendungein Team von Wissenschaftlern unter der Leitung von Professor Qingli Zhou vom Key Laboratory of Terahertz Optoelectronics, Bildungsministerium, und dem Beijing Advanced Innovation Center for Imaging Theory and Technology, Department of Physics, Capital Normal University, Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institut of Physics, Chinesische Akademie der Wissenschaften, China, und Mitarbeiter haben Te-basierte THz-Modulatoren entwickelt, um die Geräteleistung erfolgreich auf das optimale und anwendbare Niveau unter den vorhandenen reinen 2D-Breitbandmodulatoren zu bringen.

Die Forscher fanden heraus, dass die Te-Nanofilme in einer Pikosekunden-Zeitskala eine hohe Modulationstiefe erreichen können und bei geringer Pumpanregung eine ultraempfindliche Reaktion zeigen. In Kombination mit einem vollständig 2D-Heterostrukturdesign und Substrattechnik kann die Parameteroptimierung des Geräts realisiert werden. Daher weist ihr hergestellter Heteroübergang mit der Stapelordnung von Ge/Te eine ultrahohe Modulationstiefe und eine kurzlebige Ladungsträgerlebensdauer auf, verbunden mit geringen Verlusten und breiten Bandbreiteneigenschaften.

Weitere Photoreaktionsexperimente zeigen den offensichtlichen Gleichrichtungseffekt in Ge/Te aufgrund der Grenzflächenbarriere. Um den beobachteten signifikanten Einfluss der Stapelreihenfolge zu untersuchen, berechnete das Team die Richtung des substratinduzierten elektrischen Feldes und deckte seinen ungewöhnlichen Wechselwirkungsmechanismus in der Dynamik der photoangeregten Ladungsträger auf, die mit dem Ladungstransfer und der Exzitonenrekombination zwischen den Schichten verbunden ist.

Ihre Ergebnisse könnten ein umfassenderes Verständnis des internen Mechanismus des ultraschnellen Ladungstransfers und der Exzitonendynamik in vollständig 2D-Heterostrukturen liefern, den Entwurf von Heteroschnittstellen leiten und eine neue Klasse energieeffizienter, schneller und geringer Einfügungsverluste vorstellen breitbandig abstimmbare photonische THz-Geräte.

Die Hochleistungs-THz-Modulatoren konzentrieren sich auf Te-Nanofilme und ihre Heteroübergänge, um das Problem des Kompromisses zwischen Modulationstiefe und -geschwindigkeit zu lösen. Darüber hinaus haben sie herausgefunden, dass die Stapelreihenfolge der Materialien einen offensichtlichen Einfluss auf die Modulationseigenschaft hat. Die Berechnung und Analyse verdeutlichen, dass das effektive Feld des Substrats die Bandstruktur der heterogenen Grenzfläche durch die Stapelreihenfolge steuert und somit das optische Übergangsverhalten reguliert werden kann.

„Wir stellen 2D-Te-Nanofilme mit der einzigartigen Struktur als eine neue Klasse optisch gesteuerter THz-Modulatoren vor und zeigen, dass ihre integrierten Heteroübergänge die Geräteleistung erfolgreich auf das optimale und anwendbare Niveau der bestehenden rein 2D-Breitbandmodulatoren verbessern können.“

„Weitere Photoresponse-Messungen bestätigen den signifikanten Einfluss der Stapelreihenfolge. Wir klären zunächst die Richtung des substratinduzierten elektrischen Feldes durch First-Principles-Berechnungen und decken den ungewöhnlichen Wechselwirkungsmechanismus in der Dynamik der photoangeregten Ladungsträger auf, der mit dem Ladungstransfer und der Exzitonenrekombination zwischen den Schichten verbunden ist.“ .

„Unsere erzielten Ergebnisse zeigen, dass die Te-basierten All-2D-vdW-Heteroübergänge mit der Substrattechnik die Geräteleistung erheblich verbessern und eine neue Idee für das Design, die Optimierung und die Anwendung der optisch gesteuerten hocheffizienten THz-Modulatoren eröffnen können“, heißt es die Forscher.

„Wir glauben, dass die Ergebnisse dieser Arbeit nicht nur auf grundlegender Ebene von großem Interesse sind, sondern auch Leitlinien für die zukünftige Gestaltung und Entwicklung von Hochleistungs-THz-Modulatoren auf Basis funktionaler Nanomaterialien bieten“, sagten die Wissenschaftler.