Gemeinsame Überprüfung enthüllt das Potenzial von Graphen für die Weiterentwicklung der Nitrid-Halbleitertechnologie

In einer umfassenden Übersicht haben Forscher der Soochow-Universität, des Beijing Graphene Institute und der Xiamen Silan Advanced Compound Semiconductor Co., Ltd. zusammengearbeitet, um einen systematischen Überblick über die Fortschritte und möglichen Anwendungen von Graphen als Pufferschicht für das epitaktische Nitridwachstum zu geben.

Das Papier bringt Perspektiven von Hochschulen, Forschungseinrichtungen und Fachleuten aus der Halbleiterindustrie zusammen, um Lösungen für kritische Probleme in der Halbleitertechnologie vorzuschlagen.

Graphen, ein zweidimensionales Material, das für seine außergewöhnlichen elektrischen und mechanischen Eigenschaften bekannt ist, hat großes Interesse für seine voraussichtliche Verwendung beim Wachstum von Nitridhalbleitern geweckt. Trotz bemerkenswerter Fortschritte beim Wachstum von Graphen durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) auf verschiedenen isolierenden Substraten bleiben die Herstellung von hochwertigem Graphen und das Erreichen einer optimalen Grenzflächenkompatibilität mit Gruppe-III-Nitridmaterialien große Herausforderungen auf diesem Gebiet.

Die Übersicht bietet einen detaillierten Einblick in die Engpässe bei den Herstellungstechniken für übertragenes Graphen und die neuesten Fortschritte beim transferfreien Graphenwachstum. Außerdem werden die aktuellen Fortschritte beim Wachstum von transferfreiem Graphen auf verschiedenen isolierenden Substraten und seine möglichen Anwendungen in der Nitridepitaxie erörtert.

Das Papier skizziert außerdem die vielversprechende Zukunft der transferfreien Graphen-Wachstumstechnologie im Nitrid-Epitaxie-Sektor und identifiziert die Herausforderungen, die bewältigt werden müssen, um ihr volles Potenzial auszuschöpfen. Mit einer gründlichen Analyse der vorhandenen Literatur dient die Übersicht als technischer und anwendungsbezogener Leitfaden für die Verwendung von Graphen beim epitaktischen Nitridwachstum und regt zu weiterer Forschung auf diesem Gebiet an.

Dieser Aufsatz bietet nicht nur wertvolle Informationen für Forscher und Praktiker, sondern stellt auch die Weichen für zukünftige Forschungsrichtungen und technologische Innovationen im Bereich des epitaktischen Nitridwachstums.

Mehr Informationen:
Xiang Gao et al., Transferfreie chemische Gasphasenabscheidung von Graphen für die Nitridepitaxie: Herausforderungen, aktueller Status und Zukunftsaussichten, Wissenschaft China Chemie (2023). DOI: 10.1007/s11426-023-1769-y

Bereitgestellt von Science China Press

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