Auf Fotolack basierende Strukturierungsstrategien sind seit der Erfindung der Fotolithografie über Jahrzehnte standardisiert worden. Allerdings gibt es noch große Herausforderungen bei der Verarbeitung bestimmter funktionaler Strukturen. Zum Beispiel erfordert der Standard-Resist-basierte Musterbildungsprozess mit hoher Auflösung normalerweise eine Punkt-für-Punkt-Belichtung der Ziel-Resist-Strukturen, was zu einem extrem niedrigen Durchsatz und einem unvermeidbaren Nachbarschaftseffekt führt, wenn Mehrskalen-Muster definiert werden; Bestrahlung mit hochenergetischen Strahlen kann die Materialien leicht beschädigen; und der Negativton-Resist-basierte Lift-off-Prozess ist herausfordernd.
Kürzlich die Zeitschrift National Science Review veröffentlichte die Ergebnisse der Forschungsgruppe von Professor Duan Huigao von der Universität Hunan. Das Team schlug und demonstrierte eine neue Resist-Musterungsstrategie namens „Resist-Nano-Kirigami“ vor. Der Umriß der Zielstruktur wird auf dem Resist freigelegt und der überschüssige Resistfilm wird selektiv mechanisch abgelöst. Im Vergleich zur herkömmlichen Elektronenstrahl-Lithographie hat dieses Schema die folgenden Kernvorteile:
Die Strategie bietet eine neue Strukturierungslösung, die die Familie der Lithografietechniken erweitert und eine bedeutende Rolle bei der Herstellung von multiskaligen Funktionsstrukturen spielen wird.
Qing Liu et al., Resist nanokirigami for multipurpose patterning, National Science Review (2021). DOI: 10.1093/nsr/nwab231