Der quantenanomale Hall-Effekt (QAHE) hat einzigartige Vorteile in topotronischen Anwendungen, aber die Realisierung des QAHE mit abstimmbaren magnetischen und topologischen Eigenschaften für den Bau funktionaler Geräte ist immer noch eine zentrale wissenschaftliche Herausforderung. Durch First-Principles-Berechnungen haben Forscher ein Kandidatenmaterial vorhergesagt, das diese Anforderungen erfüllt.
Die entsprechenden Arbeiten wurden vor Kurzem durchgeführt veröffentlicht im National Science Review unter dem Titel „Abstimmbare quantenanomale Hall-Effekte in ferromagnetischen Van-der-Waals-Heterostrukturen“.
Die Professoren Wenhui Duan und Yong Xu vom Fachbereich Physik der Tsinghua-Universität sind die Mitautoren des Artikels. Der Postdoktorand Feng Xue, der sowohl dem Fachbereich Physik der Tsinghua-Universität als auch der Beijing Academy of Quantum Information Sciences angehört, ist der Erstautor.
Weitere Co-Autoren sind Professor Ruqian Wu von der University of California, Irvine, Professor Ke He von der Tsinghua-Universität, außerordentlicher Professor Yusheng Hou von der Sun Yat-sen-Universität, Doktorand Zhe Wang von der Fudan-Universität und Doktorand Qiming Xu von der Tsinghua-Universität .
Der quantenanomale Hall-Effekt ist ein topologisches Phänomen, das durch das Auftreten einer quantisierten Hall-Leitfähigkeit ohne externes Magnetfeld gekennzeichnet ist und ein erhebliches Potenzial für elektronische Geräte der nächsten Generation birgt. Durch systematische First-Principles-Berechnungen sagt das Forschungsteam voraus, dass QAHE, das sowohl durch Magnetisierung in der Ebene als auch außerhalb der Ebene induziert wird, innerhalb eines einzigen Materialsystems erreicht werden kann, das aus van der Waals-gekoppelten Bi- und MnBi2Te4-Monoschichten besteht.
Durch Anlegen von Spannung, Magnetfeldern oder Verdrehen der Materialien können erhebliche Änderungen der magnetischen und topologischen Eigenschaften des Systems induziert werden, was zu hochgradig abstimmbaren QAHE-Zuständen führt. Diese Studie bietet nicht nur eine praktische Materialplattform für die topologische Elektronik, sondern eröffnet auch neue Wege für die weitere experimentelle und theoretische Erforschung des quantenanomalen Hall-Effekts.
Mehr Informationen:
Feng Xue et al., Abstimmbare quantenanomale Hall-Effekte in ferromagnetischen Van-der-Waals-Heterostrukturen, National Science Review (2023). DOI: 10.1093/nsr/nwad151